メモリー

• DS1245YP-70

  DS{0}}k 不揮発性 SRAM は、1,048576- ビットの完全にスタティックな不揮発性 SRAM で、131,072 ワード x 8 ビットとして構成されています。

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• 型番

  W25Q32JV アレイは、それぞれ 256- バイトの 16,384 個のプログラム可能なページに分かれています。一度に最大 256 バイトをプログラムできます。ページは、16 個のグループ

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• W25Q64CVZEIG

  W25Q64CV (64M ビット) シリアル フラッシュ メモリは、スペース、ピン、電力が制限されているシステム向けのストレージ ソリューションを提供します。25Q シリーズは、通常のシリアル

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• 型番

  これらのデバイスは、パワーオン リセット制御、ウォッチドッグ タイマー、電源電圧監視、およびブロック ロック保護シリアル EEPROM メモリの 4 つの一般的な機能を 1

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• M24C02-RMN6TP

  2線式I2Cシリアルインターフェースは400kHzプロトコルをサポート

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• AT27C256R-12PC

  AT27C256R は、32K x 8 ビットで構成される、低消費電力、高性能の 262,144 ビットのワンタイム プログラマブル リード オンリー メモリ (OTP EPROM)

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• K4B4G1646E-MABA

  4Gb DDR3 SDRAM E-die は、32Mbit x 16I/O x 8バンクのデバイスとして構成されています。

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• DDR4 SDRAM K4A4G165WF-BCTD

  K4A4G165WF-BCTD は、96FBGA パッケージの 4Gb 256Mx16 F ダイ DDR4 SDRAM メモリ IC です。

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• シングルチップ S25FL256LAGNFV011

  S25FL128SDPMFIG11 は、不揮発性の高速読み取りおよび書き込みを備えた 128 Mbit (16 Mbyte)/256 Mbit (32 Mbyte) 3.0V SPI フラッシュ

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• M29W160EB70ZA6E

  M29W160E は、読み取り、消去、再プログラムが可能な 16 M ビット (2Mb x8 または 1Mb x16) の不揮発性メモリです。

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• SNJ54LS04W

  SNJ54LS04W は、低電力ショットキー TTL クワッド 2- 入力 NAND ゲートです。 低消費電力、高速、広い動作電圧範囲、TTL

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• AT28C256-15DM

  AT28C256 は、電気的に消去およびプログラム可能な高性能の読み取り専用メモリです。 その 256K のメモリは 32​​,768 ワード x 8 ビットとして構成されています。

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