Triode Transistor

• MMBT2222A 1P

  エピタキシャル平面ダイ構造. 相補型PNPタイプが利用可能MMBT2907A. 超小型表面実装パッケージ.

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• MMBT3904

  NPNエピタキシャルシリコン、平面設計。. コレクター-エミッター電圧VCE=40V。. コレクタ電流IC=0.2A。. Transition frequency fT>300MHz @ IC

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• S9013 ·

  高いコレクタ電流。(面積=500ミリアンペア). S9012を補完する. 優れたHFE直線性. 消費電力。(pc=300mW).

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• LMBT3904TT1G

  S-固有のサイトおよびコントロールの変更要件を必要とする自動車およびその他のアプリケーション用の接頭辞。AEC-Q101 認定済みで PPAP 対応。

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• LMBT3946DW1T1G

  S--は、独自のサイトおよび制御変更要件を必要とする自動車およびその他のアプリケーション用の接頭辞。AEC-Q101認定済みでPPAP対応。

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