三極真空管のベース領域における電子の拡散と再結合

電子がベース領域に入った後、それらは最初にエミッタ接合の近くに集中し、徐々に電子濃度の差を形成します。 濃度差の作用により、電子流はベース領域のコレクタ接合に拡散するように促進され、コレクタ接合の電界によってコレクタに引き込まれます。 領域はコレクタ電流Icを形成します。 また、電子のごく一部（ベース領域が非常に薄いため）がベース領域の正孔と再結合し、再結合電子流に対する拡散電子流の比率が三極真空管の増幅能力を決定します。