4Gb DDR3 SDRAM E-die は、32Mbit x 16I/O x 8バンクのデバイスとして構成されています。この同期デバイスは、一般的なアプリケーションで最大 1866Mb/sec/pin (DDR3-1866) の高速ダブルデータレート転送速度を実現します。チップは、ポスト CAS、プログラマブル CWL、内部 (自己) キャリブレーション、ODT ピンを使用したオンダイ終端、非同期リセットなど、次の主要な DDR3 SDRAM 機能に準拠するように設計されています。すべての制御およびアドレス入力は、外部から供給される差動クロックのペアと同期されます。入力は、差動クロックのクロスポイント (CK の立ち上がりと CK の立ち下がり) でラッチされます。すべての I/O は、ソース同期方式で双方向ストローブのペア (DQS と DQS) と同期されます。アドレス バスは、行、列、およびバンク アドレス情報を RAS/CAS マルチプレクシング スタイルで伝達するために使用されます。 DDR3 デバイスは、単一の 1.35V (1.28V~1.45V) または 1.5V (1.425V~1.575V) 電源と 1.35V (1.28V~1.45V) または 1.5V (1.425V~1.575V) VDDQ で動作します。
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