AQY212EHは光電リレーPhotoMOSです。 そしてこの光電リレーPhotoMOSは、高感度かつ低オン抵抗を実現します。
特徴
AQY212EH は、コンパクトな 4- ピン DIP サイズを誇る驚くべきテクノロジーで、さまざまな電子機器に簡単に統合できます。 この光電リレーPhotoMOSは、高感度と低オン抵抗を実現し、低レベルのアナログ信号を優れた精度と精度で制御できます。
AQY212EHの優れた特長の1つは、強化絶縁5、000Vタイプであり、絶縁破壊に対する高度な保護が必要な電気機器での使用に最適です。 さらに、オフ状態のリーク電流が低いため、デバイスのエネルギー効率が高く、動作中に電力を無駄にしないことが保証されます。
全体として、AQY212EH は、信頼性と効率性の両方を備えた高性能光電リレーを探している人にとって優れた選択肢です。 その高度な技術と強化された絶縁により、低レベルのアナログ信号制御や高感度を必要とするアプリケーションなど、幅広いアプリケーションに理想的な選択肢となります。 AQY212EH を使用すると、精度と精度が保証されます。
パラメーター
| 梱包方法 | 入力電圧 | 動作温度 |
| ディップ4 | 60 V | -40度~85度 |
応用
モデムまたは電話機器
ポジ写真

ピン配置

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