LP2998‑Q1

主な特長

タイプ：DDR メモリ終端レギュレータ (VTT / VREF ジェネレータ)

自動車グレード:AEC-Q100 認定（グレード 1、-40 度から +125 度）

入力電圧範囲: 2.2 V – 5.5 V

出力電圧 (VTT):トラック 1/2 × VDDQ

基準電圧 (VREF):1/2 × VDDQ ± 1 %

出力電流:±2 A (通常の連続ソース/シンク能力)

ドロップアウト電圧:2A負荷で150mV（代表値）

静止電流:150μA (標準値)

スイッチング周波数:リニア レギュレータ (非スイッチング)

安定性：必要なセラミック出力コンデンサは 10 µF だけです

サーマルシャットダウンと過電流保護{0}}

ピンを有効にする:電源シーケンスとシステム制御用

パッケージ：8 ピン SOIC (DDA) または WSON (NGD)

動作温度範囲:-40 度から +125 度まで

資格：AEC-Q100、PPAP が利用可能

RoHS/REACH準拠

アプリケーション

車載インフォテイメントおよびナビゲーション システム

先進運転支援システム (ADAS)

自動車用計器クラスター

ECU、ルーター、ゲートウェイ用の DDR2 および DDR3 メモリ終端

産業用および組み込みコンピューティング プラットフォーム

パフォーマンスの概要

高精度の DDR VTT トラッキングと VREF 出力を提供

DDR2 (1.8 V VDDQ) と DDR3 (1.5 V VDDQ) の両方のメモリ システムをサポート

動的なバス負荷に対する高速過渡応答

低ESRセラミックコンデンサで安定

自動車-グレードの信頼性と熱保護