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MOSFET NVBG160N120SC1

MOSFET NVBG160N120SC1

NVBG160N120SC1 は、1.2kV 19.5A N-CH SICFET シングル N チャネル MOSFET です。

説明

製品説明

NVBG160N120SC1 は、1.2kV 19.5A N-CH SICFET シングル N チャネル MOSFET です。

 

特徴
 

NVBG160N120SC101

NVBG160N120SC1 は、高度な技術を備えた高効率で信頼性の高いシングル N チャネル MOSFET であり、車載車載充電器アプリケーションでの使用に最適です。 このパワー トランジスタは、最大電圧定格 1.2kV の高電圧および大電力アプリケーション向けに設計されています。

 

この Mosfet の最も印象的な特徴の 1 つは、その超低ゲート電荷です。 これは、オンとオフを素早く切り替えることができることを意味し、その結果、システム効率が向上し、消費電力が削減されます。 さらに、実効出力容量が低いため、熱性能が向上し、安定性が向上し、システムがスムーズかつ確実に動作することが保証されます。

 

NVBG160N120SC1 は 100% アバランシェ テストも行われており、高エネルギーの過渡現象を故障することなく完全に処理できることを意味します。 これにより、システムは損傷やパフォーマンスの低下を招くことなく過酷な条件に耐えることができます。

 

   

1700V 160mQ SiC M0SFET
優れたコストパフォーマンス指数
優れたコストパフォーマンス指数
パラメーター

 

梱包方法 漏洩源電圧 動作温度
-263-7へ 1.2kVの -55度~175度

 


ピン配置

product-346-359

 

 

 

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