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International Rectifier の第 5 世代 HEXFET は、高度な処理技術を利用して、シリコン面積あたりの非常に低いオン抵抗を実現します。 この利点は、HEXFET パワーMOSFET のよく知られている高速スイッチング速度と耐久性の高いデバイス設計と組み合わせることで、設計者にさまざまなアプリケーションで使用できる非常に効率的で信頼性の高いデバイスを提供します。